Las memorias Samsung vuelven a ser protagonistas en el mundo de la tecnología. En el reciente Memory Tech Day, Samsung ha desvelado sus últimas innovaciones en el segmento de chips de memoria, destacando las memorias HBM3E y ofreciendo detalles sobre las esperadas memorias GDDR7.
Bajo el nombre en clave «Shinebolt», Samsung presentó la nueva generación de la tecnología HBM (High Bandwidth Memory). Aunque en sus inicios estas memorias ofrecían un rendimiento destacado para tarjetas gráficas, su coste era superior al de las memorias GDDR tradicionales. Sin embargo, su evolución ha sido tal que ahora se posicionan como una solución ideal para la industria de la inteligencia artificial, que demanda un alto ancho de banda.
En agosto, NVIDIA introdujo sus superchips GH200 para IA, siendo pioneros en integrar memoria HBM3E. Lo destacado de estos chips no es solo su capacidad, que ha aumentado de 24 GB (HBM3) a 36 GB (HBM3E), sino también su ancho de banda. Shinebolt promete ser un 10% más eficiente que su predecesora, Icebolt, aunque esta eficiencia se ve compensada al operar a una velocidad 25% superior.
Estas memorias no están destinadas al consumidor general, sino al sector de la inteligencia artificial, donde el ancho de banda y la capacidad de los chips son esenciales para el desarrollo de, por ejemplo, modelos de lenguaje avanzados.
GDDR7: La próxima generación gráfica
Más allá de HBM3E, que estará disponible en 2024, Samsung compartió detalles sobre GDDR7, la futura memoria gráfica. Esta nueva generación utilizará codificación PAM3 y módulos de 16 Gbits, ofreciendo un ancho de banda 33% superior al de los chips GDDR6 y siendo un 20% más eficiente. Estos chips no solo potenciarán las futuras tarjetas gráficas para gaming, sino que también se integrarán en soluciones de inteligencia artificial y automoción.
En cuanto a la fabricación, mientras que los procesadores avanzan hacia los 3 nm, los chips de memoria siguen un ritmo diferente. Samsung ya está desarrollando tecnologías de 11 nm y 10 nm, prometiendo módulos de hasta 100 Gbits en el futuro, frente a los 16 Gbits actuales.
Las memorias Samsung continúan evolucionando, ofreciendo más capacidad y eficiencia. Con HBM3E y GDDR7, Samsung se posiciona una vez más como líder en innovación en el mundo de las memorias.
