La revolución en el almacenamiento secundario podría estar más cerca de lo que pensamos. Y no, no hablamos de los chips NAND Flash que todos conocemos. La tecnología UltraRAM, surgida de la Universidad de Lancaster, se perfila como una alternativa potente y duradera.
El equipo de físicos que ha trabajado en el desarrollo de los circuitos integrados UltraRAM ha creado Quinas. Esta empresa nace con el objetivo de finalizar el desarrollo de esta prometedora tecnología y dar el salto al mercado. Aunque no todas las propuestas tecnológicas logran consolidarse, UltraRAM cuenta con una base sólida y ventajas que superan a los chips NAND Flash tradicionales.
¿Qué ofrece UltraRAM?
Quinas destaca que su tecnología combina lo mejor de las memorias NAND Flash y DRAM. Pero va más allá: la latencia de sus chips resulta diez veces menor que las memorias DRAM. Además, la vida útil de estos circuitos es sorprendentemente larga, pudiendo almacenar información durante más de 1000 años. Esto podría solucionar los problemas de fiabilidad y durabilidad que afectan a las unidades SSD actuales.
Otro punto a favor de la tecnología UltraRAM es su consumo eléctrico: estos chips consumen cien veces menos que los DRAM convencionales. Y si aún te quedan dudas sobre su potencial, la empresa Meta ya ha mostrado interés en esta innovación.
Los actuales chips UltraRAM se fabrican con litografía de 20 nm. Sin embargo, Quinas espera recibir nuevos equipos para avanzar en su tecnología de integración. Esta innovación se basa en equipos MBE (Molecular Beam Epitaxy) y un efecto cuántico llamado túnel resonante. Aunque aún es pronto para sacar conclusiones definitivas, UltraRAM se presenta como una tecnología prometedora que merece nuestra atención.
