La litografía High-NA EUV acaba de dejar de ser una promesa lejana para convertirse en un plan industrial con fecha. Samsung y ASML anunciaron el 8 de septiembre una ampliación de su colaboración para preparar la siguiente generación de fabricación de chips. La parte importante no es un móvil nuevo ni una memoria que puedas comprar mañana: Samsung prevé introducir esta tecnología en la producción masiva de DRAM a partir de 2028. Aun así, el movimiento importa porque la memoria y los chips de lógica están detrás de casi cualquier dispositivo que usamos.
Conviene leer la noticia sin fuegos artificiales. No implica una rebaja inmediata en móviles, ordenadores o tarjetas gráficas. Sí señala que la industria está invirtiendo para seguir miniaturizando componentes sin convertir cada salto de fabricación en un proceso todavía más caro y enrevesado.
Qué han anunciado Samsung y ASML
El acuerdo amplía una relación que ambas compañías ya mantenían en litografía avanzada. Samsung se unirá a una iniciativa para desarrollar fotomáscaras de 12 pulgadas pensadas para equipos High-NA EUV. Hasta ahora, el sector ha trabajado durante décadas con el formato de 6 pulgadas. El cambio parece una cuestión de tamaño, pero busca aprovechar mejor cada exposición y reducir una de las complicaciones de los nodos más avanzados: unir varias partes de un mismo patrón con extrema precisión.
Además, Samsung dice que planea usar la litografía High-NA EUV en fabricación de DRAM de alto volumen en 2028. La fecha es relevante porque no hablamos de una demostración de laboratorio. Es una intención de llevar la técnica a una fábrica que debe producir millones de chips con una calidad estable, algo mucho más difícil que lograr un buen resultado aislado.
Qué significa High-NA EUV, sin convertirlo en una clase de física
EUV son las siglas de ultravioleta extremo, una luz que permite dibujar patrones diminutos sobre una oblea de silicio. La parte High-NA aumenta la apertura numérica del sistema óptico. Traducido: la máquina puede resolver detalles más finos y hacerlo con más precisión. Es una pieza clave para fabricar transistores y celdas de memoria cada vez más densos.
La ventaja no consiste solo en meter más elementos en el mismo espacio. Cuando un fabricante necesita menos pasos para crear un patrón complejo, puede simplificar parte del proceso. Eso puede ayudar a mejorar el rendimiento de la línea, es decir, la proporción de chips válidos que salen de una oblea. El comunicado de Samsung plantea precisamente esa combinación de mayor resolución, procesos más simples y eficiencia. Son objetivos de la compañía, no resultados que ya estén medidos en productos comerciales.
Por qué ahora cambia también el tamaño de las fotomáscaras
Las fotomáscaras funcionan como una plantilla: contienen el patrón que se transfiere a la oblea. Con una óptica de mayor apertura, trabajar con el formato tradicional limita el área útil y obliga a dividir determinados diseños. El paso a 12 pulgadas pretende evitar esas uniones o stitching, que añaden dificultad cuando el patrón debe quedar perfectamente alineado.
No es un detalle menor. En la fabricación de chips, cada paso adicional introduce tiempo, coste y posibles defectos. Por eso una mejora que parezca escondida en una fábrica puede terminar influyendo en la capacidad de producir memorias más densas o procesadores más complejos. El efecto no llega de forma directa al consumidor, pero condiciona la tecnología que más tarde se monta en portátiles, consolas, centros de datos y móviles.
Cuándo lo notará quien compra tecnología
La respuesta corta es: no en 2026 ni, previsiblemente, al principio de 2027. Samsung sitúa su adopción de DRAM High-NA EUV en 2028 y la llegada a productos depende después de diseños de memoria, validaciones y ciclos de los fabricantes que compran esos chips. No hay motivo para prometer precios más bajos, más batería o más rendimiento a partir de este anuncio.
Lo que sí merece la pena vigilar es la memoria. La IA está elevando la demanda de componentes de alto rendimiento, y la industria necesita aumentar capacidad y densidad sin que el coste se dispare. Si la tecnología logra los objetivos anunciados, podría facilitar generaciones posteriores de DRAM más eficientes. Eso sería especialmente relevante en servidores de IA, pero también acabaría filtrándose a equipos de consumo con el tiempo.
Este contexto ayuda a entender por qué novedades de software como DLSS 5 y las RTX 50 dependen tanto de la evolución del silicio. Las funciones llamativas llegan al usuario, pero antes hay años de avances poco visibles en óptica, materiales y fabricación.
La lectura útil: menos promesas y más señales de ejecución
La colaboración Samsung-ASML no es una razón para aplazar una compra ni para esperar un salto inmediato en el próximo móvil. Es una señal de que la carrera por los chips se está desplazando hacia la capacidad de fabricar con precisión y con un rendimiento industrial sostenible. El anuncio de 2028 es concreto, pero todavía habrá que comprobar cómo se ejecuta en producción real.
Para seguir las novedades que sí llegan al mercado, puedes consultar nuestras noticias de tecnología. Y si quieres contrastar los detalles técnicos de este anuncio, Samsung ha publicado el comunicado oficial sobre su colaboración con ASML.
Preguntas frecuentes
¿Qué es la litografía High-NA EUV?
Es una evolución de la litografía con ultravioleta extremo que usa una óptica de mayor apertura numérica para dibujar patrones más finos sobre las obleas de silicio.
¿Significa que los móviles serán más baratos?
No. El anuncio no establece precios ni productos de consumo. Su posible impacto dependerá de la producción real de memorias y de cómo evolucione el mercado durante los próximos años.
¿Cuándo planea Samsung usarla en DRAM?
Samsung ha indicado que prevé introducirla en la producción masiva de DRAM en 2028. La disponibilidad en dispositivos finales llegaría más tarde y no está confirmada.
